Abstract: In the present study, the implicit order 1.5 Runge-Kutta scheme is proposed to numerically solve stochastic point kinetic equations by considering different reactivity values. A covariance matrix is obtained by applying the one-velocity diffusion theory for a nuclear reactor. It is assumed that at initial time a neutron pulse is injected into a non-multiplicative assembly. The results obtained by applying this method are accurate, based on the standard deviation and the expected value, when compared to other methods reported in the literature. It is concluded that the proposed method is accurate for calculating neutron density and delayed neutron precursor concentration.

Resumen: En este trabajo se propone el esquema de Runge-Kutta implícito de orden 1.5 para solucionar de forma numérica las ecuaciones de la cinética puntual estocástica, considerando diferentes valores de reactividad. Se obtiene la matriz de covarianza usando la teoría de difusión de una velocidad para un reactor nuclear. Para esto, se asume que en el tiempo inicial un pulso de neutrones es inyectado en un ensamble no multiplicativo. Los resultados obtenidos con este método logran una buena precisión en la desviación estándar y el valor esperado en comparación con otros métodos reportados en la literatura. Se concluye que el método propuesto es eficiente para el cálculo de la densidad de población de neutrones y la concentración de precursores de neutrones atrasados.

Resumen Calculamos los estados electrónicos en volumen para GaAs y AlAs en estructura Zinc-Blenda usando el método Tight-Binding (TB). El Hamiltoniano TB se construyó usando una base de orbitales s, p y s*. Los orbitales s* representan estados excitados con igual simetría de los orbitales s. Llevando a cabo la diagonalización numérica del Hamiltoniano, se determinaron las relaciones de dispersión para algunas direcciones de alta simetría de la primera zona de Brillouin (PZB), obteniendo un gap directo de 1.54 eV para GaAs y un gap indirecto de 2.26 eV para AlAs. Las densidades de estados totales (DOS) y parciales indican la presencia de orbitales s en la parte inferior de la banda de valencia (BV), orbitales p en la parte superior de la BV y en la parte inferior de la banda de conducción (BC), y orbitales s* en la parte superior de la BC. Nuestros resultados concuerdan bastante bien con otros reportes experimentales y teóricos.

Abstract We calculate the electronic states in volume for GaAs and AlAs in Zinc-Blenda structure using the Tight-Binding (TB) method. The TB Hamiltonian was constructed using a base of s, p and s* orbitals. The s* orbitals represent excited states with equal symmetry as the s orbitals. Carrying out the numerical diagonalization of the Hamiltonian, the dispersion relationships were determined for some directions of high symmetry of the first Brillouin zone (FBZ), obtaining a direct gap of 1.54 eV for GaAs and an indirect gap of 2.26 eV for AlAs. The total (DOS) and partial state densities indicate the presence of s orbitals in the lower part of the valence band (BV), p orbitals in the upper part of the BV and in the lower part of the conduction band (BC), and s* orbitals on top of BC. Our results agree quite well with other experimental and theoretical reports.

In this work some intrinsically non-linear mechanical and electrostatic systems are studied. We show, through the Taylor series expansion of the potential energy, that at the limit of small oscillations these systems do not perform simple harmonic movements. Therefore, even for small oscillations some oscillating systems behave like non-linear oscillators.

En este trabajo se estudian algunos sistemas mecánicos y electrostáticos intrínsecamente no lineales. Mostramos, a través de la expansión en serie de Taylor de la energía potencial, que en límite de pequeñas oscilaciones estos sistemas no realizan movimientos armónicos simples. Por tanto, incluso para pequeñas oscilaciones algunos sistemas oscilantes se comportan como osciladores no lineales.

Resumen Realizamos un estudio de las transiciones de fase estructurales de los nitruros III-V GaN, InN y AlN empleando el método de ondas planas aumentadas y linealizadas en la formulación de potencial completo (FP: LAPW) dentro del marco de la teoría del funcional de la densidad (DFT). Para el potencial de correlación-intercambio se utilizó la aproximación de gradiente generalizado (GGA) con la parametrización de Perdew-Burke-Ernzerhof (PBE). Reportamos valores de los parámetros de red a, c/a y u, volumen, energía y módulo de volumen, presiones de transición y cambio de volumen en las transiciones de fase wurtzita-rocksalt (WZ-RS) y wurtzita-zincblenda (WZ-ZB). Nuestros resultados muestran un buen acuerdo con otros reportes experimentales y teóricos e indican que la fase más estable es la WZ siguiéndole la ZB y RS, y que las transiciones de fase estudiadas corresponden a transiciones de fase de primer orden.

Abstract We study the structural phase transitions of nitrides III-V GaN, InN and AlN using the method of augmented plane waves and linearized in developing full potential (FP: LAPW) within the framework of functional theory of density (DFT). For the potential correlation-exchange the generalized gradient approximation (GGA) it was used with the parameterization of Perdew-Burke-Ernzerhof (PBE). We reported values of the network parameters a, c/a and u, volume, energy and bulk modulus, transition pressures and volume change in wurtzite phase transitions-rocksalt (WZ-RS) and wurtzite-zincblende (WZ-ZB). Our results show good agreement with other experimental and theoretical reports and indicate that the most stable phase is the WZ following him ZB and RS, and phase transitions studied correspond to phase transitions of the first order.

El artículo propone estudiar la propagación de los campos electromagnéticos a través de la mitocondria. Se presenta un modelo simplificado de la mitocondria como un sistema periódico de multicapas de índices de refracción alternantes. Mediante el método de transferencia matricial se calcula la dependencia, la reflectancia y transmitancia en función de la longitud de onda del campo electromagnético incidente. Se observa la existencia de una región de longitudes de onda (o frecuencia prohibidas) en la cual no existe propagación de los campos a través del sistema, esto corresponde a una reflectancia máxima R=1.

The article aims to study the propagation of electromagnetic fields through the mitochondria. We present a simplified model of the mitochondrion as a periodic multilayer of alternating refractive indices. Using the transfer matrix method calculates dependence reflectance and transmittance versus wavelength of incident electromagnetic field. Observe the existence of a wavelength region (or prohibited frequency) in which there is no spread of the fields through the system, this corresponds to a maximum reflectance R = 1.

O artigo tem como objetivo estudar a propagação de campos eletromagnéticos através das mitocôndrias. Nós apresentamos um modelo simplificado da mitocôndria como uma multicamada periódica de alternância de índices de refração. Utilizando o método de matriz de transferência calcula reflectância dependência e transmitância contra o comprimento de onda de campo eletromagnético incidente. Note-se a existência de uma região de comprimento de onda (ou frequência proibida) em que não há nenhuma propagação dos campos através do sistema, isto corresponde a um máximo de reflectância R = 1.