Oxinitreto de zinco e gálio foi sintetizado por meio da nitretação do ZnGa2O4 obtido pelo método dos precursores poliméricos (PP) e por reação no estado sólido (SSR). Foi estudada a influência do método de síntese do óxido precursor (ZnGa2O4) nas características do composto final ZnGaON. A cristalização do ZnGa2O4 foi observada após tratamento térmico a 1100 °C / 12 h para SSR e a 600 °C / 2 h para PP, sem a presença de fases secundárias em ambos os casos. Estas amostras mostraram diferenças no tamanho de cristalito e na área superficial em virtude do método de síntese empregado. Após a nitretação, em ambos os casos, foi obtida a fase oxinitreto ZnGaON com estrutura wurtzita, similar ao GaN. Entretanto esta fase se forma a temperaturas mais baixas quando PP é usado. A microestrutura e a área de superfície específica das amostras nitretadas foram fortemente influenciadas pelo método de síntese do precursor e pela temperatura de nitretação (42 m²g-1e 5 m²g-1 para óxidos obtidos por PP e SSR e tratados a 700 °C, respectivamente). A análise da composição mostrou uma grande perda de Zn para as amostras derivadas de PP, a qual é favorecida tanto pela temperatura de amonólise quanto pela área de superfície específica do precursor.

Zinc-gallium oxynitride powders (ZnGaON) were synthesized by nitridation of ZnGa2O4 oxide precursor obtained by polymeric precursors (PP) and solid state reaction (SSR) methods and the influence of the synthesis route of ZnGa2O4 on the final compound ZnGaON was investigated. Crystalline single phase ZnGa2O4 was obtained at 1100 ºC / 12 h by SSR and at 600 ºC / 2 h by PP with different grain sizes and specific surface areas according to the synthesis route. After nitridation, ZnGaON oxynitrides with a GaN würtzite-type structure were obtained in both cases, however at lower temperatures for PP samples. The microstructure and the specific surface area were strongly dependent on the oxide synthesis method and on the nitridation temperature (42 m²g-1 and 5 m²g-1 for PP and SSR oxides treated at 700 °C, respectively). The composition analyses showed a strong loss of Zn for the PP samples, favored by the increase of ammonolysis temperature and by the higher specific surface area.

Filmes finos de LiNbO3 foram preparados pelo método dos precursores poliméricos e depositados por "spin coating" sobre substratos de safira (0001). Os filmes foram tratados em forno microondas doméstico a 400 ºC por 15 e 20 min. Um material com alta perda dielétrica (susceptor de SiC) foi usado para absorver energia das microondas e transformá-la em calor. Este calor foi transferido para o filme a fim de promover a sua cristalização. O susceptor foi posicionado acima do filme ou embaixo do substrato. Desta forma, a influência da direção do fluxo de calor na cristalização das amostras foi verificada. Os filmes foram caracterizados por difração de raios X, microscopia de força atômica e espectrofotometria (transmitância) na região UV-visível e o índice de refração foi determinado por elipsometria. O crescimento epitaxial foi observado para o filme com susceptor posicionado embaixo do substrato. Verificou-se que os grãos apresentaram crescimento aleatório quando o susceptor foi posicionado acima do filme. Os filmes apresentaram-se relativamente densos, homogêneos e lisos, com boas propriedades ópticas.

LiNbO3 thin films were prepared using a polymeric precursor solution deposited by spin coating on (0001) sapphire substrate. Heat treatment of the films was carried out in a microwave oven at 400 ºC for 15 and 20 min. A SiC susceptor (material with high dielectric loss) was used to absorb microwave energy and transfer the heat to the film in order to promote crystallization. The susceptor was placed above the film or below the substrate. Thus, the influence of the heat flux direction on the sample crystallization was verified. The films were characterized by X-ray diffraction, atomic force microscopy and spectrophotometry (transmittance) in the UV-Visible region and the refractive index was determined with an ellipsometer. The epitaxial growth was observed for the film with the susceptor placed below the substrate. Random growth was verified when the susceptor was placed above the film. The films were relatively dense, homogeneous and smooth with good optical properties.

Realizou-se um estudo teórico-experimental sobre as estruturas cristalina e amorfa de niobato de lítio, para verificar a influência dos defeitos sobre as propriedades ópticas desse semicondutor. Filmes finos cristalinos de LiNbO3 (c-LN) e amorfo (a-LN) foram preparados pelo método dos precursores poliméricos, sendo caracterizados por difração de raios X e microscopia de força atômica. As propriedades ópticas foram estudadas por UV-Visível e espectroscopia Raman. Em particular, o filme amorfo apresentou luminescência, cuja posição do pico varia de acordo com o comprimento de onda de excitação. A diferença de energia entre os níveis HOMO (Highest Occupied Molecular Orbital) e LUMO (Lowest Unoccupied Molecular Orbital) revela que o gap de banda da fase cristalina é maior que aquele exibido pela fase amorfa, em acordo com os dados experimentais de UV-visível. Observou-se o surgimento de novos níveis eletrônicos na região do gap de banda na estrutura amorfa, este fato pode explicar as propriedades ópticas particulares observadas sobre o filme amorfo.

A study of the crystalline and amorphous structures of lithium niobate (LN) semiconductor was carried out to verify the influence of defects on the optical properties. Crystalline c-LN and amorphous a-LN thin films were prepared by the polymeric precursor method and characterized by Atomic Force Microscopy. Ultraviolet-Visible (UV-VIS) and Raman Spectroscopy were the studied optical properties. The amorphous film showed luminescence with a peak position dependent on the excitation wavelength. The energy difference between the Highest Occupied Molecular Orbital and the Lowest Unoccupied Molecular Orbital levels reveals that the band gap of the crystalline phase is larger than that exhibited by the amorphous phase, in agreement with the UV-VIS data. New electronic levels were observed in the band gap of the amorphous structure and could explain the optical properties observed in the amorphous film.