RESUMO O sorgo é uma importante cultura que pode absorver e acumular Si em abundância, melhorando a tolerância do tecido aos estress hidríco e salino e reduzindo a absorção de sódio. Objetivou-se verificar a indução de resistência na germinação e no crescimento de mudas de sementes de sorgo ao sal e ao estresse hídrico durante a germinação devido ao tratamento com silício.Foram realizados dois experimentos com sementes de duas cultivares de sorgo (EA03 e EA955) em soluções de silicato de potássio na concentração de 0, 0,3 , 0,6, 0,9 e 1,2 g L-1, no primeiro experimento e as sementes foram submetidas ao estresse hídrico utilizando PEG 6000 (0, -0,2, -0,4, -0,6 e -0,8 MPa) no segundo experimento foram submetidas ao estresse salino usando e NaCl (0, 75, 150 e 225 mM). Foram analisados a germinação, primeira contagem de germinação, comprimento da parte aérea e raiz, proporção parte aérea/raiz e massa seca de plântulas. Os genótipos estudados apresentaram comportamento semelhante quando tratados com silicato de potássio. A presença do silício no tratamento de sementes quando expostas ao estresse salino não tem efeito sobre a germinação, mas atenua a salinidade relacionada ao crescimento das mudas. O silício atenua os efeitos do estresse hídrico nas sementes de sorgo, mantendo a germinação até o potencial de -0,6 Mpa, e proporcionando melhor desenvolvimento radicular. No entanto, o tratamento com silicato de potássio não evita os danos causados pelos altos níveis de estresse hídrico e salino, apenas atenua seus efeitos, assim mais estudos são necessários para esclarecer melhor os efeitos do Si nas sementes.
ABSTRACT Sorghum is an important crop that can absorb and accumulate abundant Si ranging, improving tissue tolerance to the water and salt stress and reducing sodium absorption. T hus, the objective was to verify the induction of resistance in germination and seedling growth of sorghum seeds to salt and water stress during germination due to treatment with silicon. Two experiments were carried out with seeds of two sorghum cultivars (EA03 and EA955) were solution of potassium silicate solutions at concentrations of 0, 0.3, 0.6, 0.9 and 1.2 g L-1, in the first experiment and seeds were submitted to water stress using PEG 6000 (0, -0.2, -0.4, -0.6 and -0.8 MPa) in the second experiment were submitted to salt stress using NaCl (0, 75, 150 and 225 mM). Were analysed, germination, first germination count, shoot and root length, shoot to root ratio and seedling dry weight. The studied genotypes showed similar behavior when treated with potassium silicate. The presence of silicon in the treatment of seeds when exposed to salt stress has no effect on germination, but attenuates salinity damage related to seedling growth. Silicon attenuates the effects of water stress on sorghum seeds, by maintaining germination up to the potential of -0.6 Mpa, and providing better root development. However, the treatment with potassium silicate does not prevent the damage caused by high levels of water and salt stress, only attenuating its effects, thus, more studies are needed to better clarify the effects of Si on seeds.