Resumen: Este trabajo de revisión se centra en la producción fotocatalítica de hidrógeno empleando agentes de sacrificio y semiconductores modificados con nanopartículas metálicas. Mientras que el uso de agentes de sacrificio reduce la energía requerida para la producción de hidrógeno y elimina los huecos fotogenerados, la modificación superficial de los semiconductores con nanopartículas metálicas cambia el flujo de los portadores de carga fotoinducidos, disminuyendo la recombinación de los pares electrón-hueco y aumentando la cantidad de sitios activos catalíticos para la reducción. Además, se describe el impacto de las técnicas electroquímicas y fotoelectroquímicas en la caracterización de los fotocatalizadores, la interfase semiconductor/electrolito y la modificación que tiene el nivel de Fermi cuando se ponen en contacto estos componentes. Dichas determinaciones electroquímicas brindan información sobre el diagrama de bandas (posiciones de banda de valencia y/o de conducción), estados energéticos del semiconductor, interacción del fotocatalizador con los co-catalizadores, separación de las especies electrón-hueco, aprovechamiento de la iluminación y resistencia a la transferencia de carga. La relación de la actividad fotocatalítica de los semiconductores y su caracterización electroquímica permite comprender los procesos de transferencia de carga involucrados en dicha reacción.

Abstract: This review paper focuses on photocatalytic hydrogen production using sacrificial agents and semiconductors modified with metal nanoparticles. While the use of sacrificial agents reduces the energy required for hydrogen production and eliminates the recombination of photogenerated holes, the surface modification of semiconductors with metal nanoparticles changes the flow of photoinduced charge carriers, decreasing the recombination of electron-hole pairs and increasing the number of catalytic active sites for reduction. In addition, the impact of electrochemical and photoelectrochemical techniques on the characterization of the photocatalysts, the semiconductor/electrolyte interface, and the modification of the Fermi level when these components are in contact is described. These electrochemical determinations provide information on the band diagram (valence and/or conduction band positions), energy states of the semiconductor, interaction of the photocatalyst with the co-catalysts, separation of the electron-hole species, use of illumination, and resistance to charge transfer. Establishing a relationship between the photocatalytic activity of semiconductors and their electrochemical characterization allows understand the charge transfer processes involved in such a reaction.

Resumen Este artículo examina desde la perspectiva de género y el desarrollo regional los posibles impactos en el mercado laboral de la industria de semiconductores en México inducidos por la política de relocalización de la misma, dada la crisis global de suministro de semiconductores. Considera las actuales brechas educativas y laborales entre mujeres y hombres, así como las disparidades regionales entre la demanda de trabajo especializado en la industria manufacturera y la oferta educativa. Para ello, se contrastan las tendencias actuales en el personal empleado en los sectores económicos orientados a los semiconductores con la matrícula y titulación en campos de formación especializados entre mujeres y hombres, así como entre las regiones del país. Se observa que, aunque la política busca mejorar la industria de semiconductores, crear empleos y promover el crecimiento económico, tiene el potencial de reforzar las disparidades de género y entre regiones. Por lo tanto, se enfatiza la necesidad de considerar estas desigualdades en el diseño y evaluación de la política industrial de México.

Abstract This article examines, from a gender perspective, the potential impacts on the labor market of the semiconductor industry in Mexico induced by its relocation policy, given the global semiconductor supply crisis. It considers the current gender gaps in employment between women and men by economic sector, as well as the regional disparities between the demand for specialized labor in the manufacturing industry and the educational supply. To achieve this, the current trends in personnel employed in semiconductor-related economic sectors are contrasted with enrollment and graduation rates in specialized fields of study among women and men, as well as among different regions of the country. It is observed that, although the policy aims to improve the semiconductor industry, create jobs, and promote economic growth, it has the potential to reinforce gender and regional disparities. Therefore, the need to consider these inequalities in the design and evaluation of Mexico's industrial policy is emphasized.

Resumen La industria automotriz es uno de los motores del crecimiento económico de México. En México, tanto la producción automotriz japonesa como el número de las empresas japonesas se duplicaron en la década de los 2010 con el auge de la expansión de negocios japonesa. Sin embargo, la expansión se ha estancado de repente desde 2016, cuando Trump fue elegido como el Presidente de los Estados Unidos. Simul-táneamente la producción de las ensambladoras japonesas comenzó a reducirse después de haber llegado al tope en 2016. Este artículo presenta un argumento de que esta inesperada reducción productiva, que había ocurrido antes de la pandemia, se debió mayormente al cambio de preferencia del mercado estadounidense a pick-ups y SUVs, que a las incertidumbres a causa de las políticas de Trump contra México. Además, examina el desempeño de la industria automotriz en México durante los primeros dos años de la pandemia, incluyendo el de las ensambladoras japonesas.

Abstract The automobile industry is a leading industry in Mexico and thus an engine of its economic growth. In Mexico, Japanese automobile production, as well as the number of Japanese firms, doubled in the last decade amid the Japanese business expansion boom. However, since 2016, after Trump’s election as us President, the expansion boom came to a halt. Simultaneously, the production of Japanese Original Equipment Manufacturers in Mexico, which had reached its peak in 2016, began to decline. This study argues that this sudden production decline before the COVID-19 pandemic was mainly due to the change in consumers’ preference for pick-ups and SUVs in the US market because of the shale oil boom, rather than the so-called “Trump Shock.” It also examines the performances of the automobile industry in Mexico, including those of the Japanese assemblers, during the first two years of the COVID-19 pandemic.

RESUMEN El uso de materiales semiconductores como la aleación de arseniuro de indio se incrementa en nuevas aplicaciones, debido a sus propiedades electrónicas y su gran potencial como material optoelectrónico. En el presente estudio se calcularon los parámetros de estructura electrónica y la brecha de energía prohibida del arseniuro de indio con estructura cristalina blenda de cinc. Se usó el método de los orbitales lineales muffins tin LMTO con un potencial LDA que emplea la aproXimación de intercambio y correlación de un gas de electrones homogéneo de spin polarizado, para resolver la ecuación de Schrödinger de la red cristalina del InAs. Las bandas de energía, la densidad de estados y la energía total se calcularon para seis casos diferentes de una pequeña fracción de la carga electrónica de valencia en las esferas vacías de la diagonal en la red. La estructura electrónica presentó una brecha de energía prohibida de 0.408 eV asociada con la energía total mínima de −18.12 Ry cercana a los resultados eXperimentales.

ABSTRACT The use of semiconductor materials such as indium arsenide alloy is increasing in new applications, due to their electronic properties and great potential as an optoelectronic material. In the present study, the parameters of electronic structure and the energy- forbidden gap of indium arsenide with zinc blende crystal structure were calculated. The method of the linear muffins tin orbitals LMTO with an LDA potential using the exchange and correlation approXimation of a homogeneous spin-polarized electron gas was used to solve the Schrödinger equation of the crystal lattice of the InAs. The energy bands, state density, and total energy were calculated for siX different cases of a small fraction of the valence electron charge on the empty diagonal spheres in the lattice. The electronic structure had a forbidden energy gap of 0.408 eV associated with the minimum total energy of −18.12 Ry close to the experimental results.

RESUMEN En esta investigación se evaluaron los óxidos mixtos ZnO/TiO2 y ZnO/Nb2O5 para la recuperación de agua de un río contaminado y en el tratamiento de aguas residuales de fábricas textiles; los contaminantes objeto de estudio en esta investigación fueron bacterias enteropatógenas y colorantes comerciales. Los sistemas conformados por óxidos mixtos fueron ampliamente caracterizados con el fin de conocer sus características fisicoquímicas; a partir de estos análisis se encontró que el acoplamiento de dos óxidos no modificó la cristalinidad de los semiconductores prístinos, pues, por DRX se identificaron las fases cristalinas wurtzita, anatasa y hexagonal para ZnO, TiO2 y Nb2O5, respectivamente. Mediante análisis de UV-Vis DRS se observó una mayor absorción de los óxidos mixtos en la región visible del espectro electromagnético, el valor de ancho de banda también disminuye en estos materiales. Los resultados de evaluación de la actividad fotocatalítica mostraron que el acoplamiento de ZnO con Nb2O5 y TiO2 aumenta la eficiencia en la eliminación del carbono orgánico total (COT) y de E. Coli. Con el fotocatalizador ZnO/TiO2 se logró la eliminación del 82% de COT y del 65% de E. coli, en muestras de agua de un río contaminado por efluentes municipales.

ABSTRACT In this study, ZnO/TiO2 and ZnO/Nb2O5 photocatalysts were evaluated in the river pollution remediation and wastewater treatment from textile factories, thus, the target pollutants selected for this study were enteropathogenic bacteria and commercial dyes. The mixed oxide systems were extensively analyzed in order to explore their physicochemical properties. From this analysis, it was found that the coupling of two oxides did not modify the crystallinity of the pristine semiconductors. As a result, XRD Wurtzite phase, hexagonal phase, and anatase phases were identified for ZnO, Nb2O5, and TiO2 photocatalyst, respectively. Using UV-Vis DRS, a higher absorption for mixed oxides in the visible region of the electromagnetic spectrum was observed, along with a decrease in the band gap value in these materials. The results of the photocatalytic activity evaluation showed that the coupling of ZnO with Nb2O5 and TiO2 increased the effectiveness of the total organic carbon (TOC) and E. Coli elimination. 83% of TOC and elimination of 64% of E. coli were achieved using ZnO/Nb2O5 photocatalyst for the treatment of water samples from the polluted river.

Resumen Introducción. Históricamente se ha invertido esfuerzo en el diseño de nuevos instrumentos que superen las desventajas del estándar de referencia en cirugía, el bisturí. Como consecuencia de esto, han surgido equipos electrónicos como el electrobisturí y los diferentes dispositivos de tecnología láser. La información disponible sobre estos instrumentos sugiere que la respuesta del tejido intervenido está influenciada por los principios físicos y biológicos de corte del instrumento. Objetivo. Comparar los cambios histológicos en muestras de encía asociados al corte quirúrgico realizado con láser de diodo de 940 nm, láser de erbio, cromo: itrio-escandio-galio-granate (Er,Cr:YSGG) (2780nm) y electrobisturí mediante una presentación de serie de casos. Presentación de los casos. Se presentan tres casos de pacientes sanos sometidos a cirugía estética. El examen clínico reveló la exposición de una banda gingival queratinizada mayor de 4 mm, tejido gingival de color y textura normales, de consistencia firme y sin sangrado al sondaje periodontal. Se indicó gingivectomía con los siguientes protocolos: láser de diodo de 940 nm a 1 W, en modo continuo; láser de Er,Cr:YSGG de 2780 nm a 2,5 W, 75 Hz, modo H, aire 20, agua 40, punta de oro MT4; y bisturí eléctrico en modo de corte, a nivel de potencia cuatro. Se tomaron muestras de tejido gingival y se almacenaron en formaldehído al 10 % para su análisis histológico. Conclusión. Los tres instrumentos de corte generaron cambios histológicos producidos por el efecto térmico; los principales fueron coagulación del colágeno y carbonización. La profundización del daño térmico causada por el láser de Er,Cr:YSGG de 2780 nm fue mucho menor que la generada por el electrobisturí y por el láser de diodo de 940 nm.

Abstract Introduction. Over time, efforts have been invested in the design of new instruments that overcome the disadvantages of the gold standard instrument in surgery, the scalpel. As a result, electronic equipment has emerged such as the electric scalpel and laser devices. The available evidence on these instruments suggests that the tissue response is related to each instrument’s physical and biological cutting principles. Objective. To compare the histological changes in gingiva samples associated with surgical cutting performed with a 940 nm diode laser, a 2780 nm erbium, chromium: yttriumscandium-gallium-garnet (Er,Cr:YSGG) laser, and an electric scalpel, by presenting a series of cases. Case presentation. We present three cases of healthy patients undergoing cosmetic surgery. The clinical examination revealed exposure of a keratinized gingiva band greater than 4 mm, normal color and texture in gingival tissue, with a firm consistency and no bleeding on periodontal probing. Gingivectomy was indicated with the following protocols: Diode laser of 940 nm at 1 W, in continuous mode; Er,Cr:YSGG laser of 2780 nm at 2.5 W, 75 Hz, H mode, air 20, water 40, gold tip MT4); and electric scalpel in cutting mode at power level four. Gingival tissue samples were taken and stored in 10% formaldehyde for histological analysis. Conclusion. All the evaluated cutting instruments generated histological changes produced by the thermal effect, the main ones being collagen coagulation and carbonization. The depth of thermal damage caused by the 2780 nm Er,Cr:YSGG laser was much lesser than that induced by the electric scalpel and the 940 nm diode laser.

RESUMEN Los fotomultiplicadores de silicio (SiPMs) de generaciones recientes tienen una alta calidad de producción, lo que elimina la necesidad de calibrar individualmente el voltaje de caída. En este estudio, se midió la probabilidad de interferencia y la ganancia relativa de 122 SiPMs SensL MicroFJ-60035-TSV. Estos dispositivos semiconductores reemplazan a los tubos fotomultiplicadores en diversas aplicaciones debido a su capacidad para detectar un solo fotoelectrón, su insensibilidad a campos magnéticos, su robustez, y su mejora en la eficiencia de detección de fotones con menor voltaje y costos. Para aumentar el área fotosensible de los SiPMs se utilizan guías de luz. Al comparar sensores acoplados ópticamente a guías de luz con sensores aislados a voltaje base, se observa que el acoplamiento óptico reduce significativamente la interferencia en los sensores estudiados.

ABSTRACT Recent silicon photomultipliers (SiPMs) boast excellent production quality, eliminating the need for individual breakdown voltage calibration. We present measurements of cross-talk probability and relative gain for 122 SensL MicroFJ60035-TSV SiPMs. These semiconductor photosensors have replaced photomultiplier tubes in many applications due to their single-photon resolution, insensitivity to magnetic fields, robustness, and cost-effective photon detection at lower voltages. Light guides expand SiPMs’ small photosensitive area, and optical coupling reduces cross-talk probability compared to bare sensors at nominal bias voltage, as demonstrated in this study.

Resumen En este trabajo se presenta el diseño y desarrollo de una aplicación de software útil en el estudio de las propiedades ópticas de materiales semiconductores, mediante el cual es posible conocer si las películas delgadas semiconductoras sintetizadas son adecuadas para la fabricación de dispositivos semiconductores. Utilizando el algoritmo desarrollado, basado en los métodos de Swanepoel, se logra estimar constantes ópticas de películas semiconductoras no homogéneas tales como: coeficiente de absorción (α), índice de refracción (n) y brecha de energía prohibida (Eg); además, se estima la variación del espesor en ellas. Esta aplicación tiene como insumo la información en las curvas de transmitancia espectral resultantes de procedimientos experimentales. Se encontró que la aplicación propuesta ofrece un alto grado de confiabilidad y que, por tanto, se puede usar para estudiar las propiedades de películas delgadas semiconductoras que se utilicen en la fabricación de dispositivos semiconductores en diversas aplicaciones, entre ellas las energías limpias y renovables como son las celdas solares.

Abstract This work introduces the design and development of a useful software app for studying the optical properties of semiconductor materials; thus, it is possible to know if the deposited non-homogeneous semiconductor thin films are suitable for the fabrication of semiconductor devices. Using the developed algorithm, which is based on Swanepoel's methods, it is possible to estimate optical constants of non-homogeneous semiconductor films such as: absorption coefficient (α), refractive index (n) and band gap (E g ). In addition, the variation of the thickness in them is estimated. The input information for this tool corresponds to the spectral transmittance curves from experimental procedures. The proposed tool was found to offer high accuracy and therefore it can be used to study the properties of semiconductor thin films used in semiconductor manufacturing in a variety of applications, including clean and renewable energies such as solar cells.

Resumen Se reporta el proceso de síntesis del material complejo de tipo perovskita Bi0.5R0.5FeO3 (R=Eu, Sm, Dy) mediante el método cerámico, así como su caracterización estructural, óptica, magnética y eléctrica. Los datos refinados de difracción de rayos X revelaron que este material cristaliza en una estructura ortorrómbica (grupo espacial Pnma número 62). La respuesta óptica en la curva de espectroscopia de reflectancia difusa proporcionó un valor de brecha energética típico de los materiales semiconductores. La magnetización presentó un comportamiento histerético de campo coercitivo muy bajo, característico del ferromagnetismo débil, para todas las temperaturas examinadas por debajo de 300 K y la aplicación de varios campos magnéticos. Las curvas de permitividad eléctrica real y compleja evidenciaron la presencia de procesos de relajación dieléctrica a 113 K, lo que concuerda con los reportes sobre corrientes piroeléctricas y termoestimuladas en función de la temperatura y revela la aparición de polarización ferroeléctrica por debajo de los 113 K, con un posible acoplamiento magnetoeléctrico. Por otro lado, se hizo un estudio teórico de la estructura electrónica con y sin la fase distorsiva de Berry. Se hicieron cálculos ab initio siguiendo el formalismo de la teoría funcional de la densidad y el método de ondas planas pseudopotenciales, formalismo en el cual los mecanismos de intercambio y correlación se describen mediante el enfoque de gradiente generalizado (GGA + U) considerando la polarización de espín. El análisis con la fase de Berry sugirió la presencia de ferroelectricidad a menos de 113 K, lo que concuerda con el análisis experimental que sugiere un comportamiento biferroico a bajas temperaturas debido a que la fase distorsiva introduce hibridaciones entre los estados 3d-Fe y 2p-O que favorecen la aparición de interacciones Dzyaloshinskii-Moriya, las cuales, a su vez, facilitan la aparición de ferroelectricidad en condiciones de ferromagnetismo débil. Las propiedades termodinámicas en presencia y ausencia de la fase de Berry en el modelo cuasi-armónico de Debye revelaron la aparición de una transición ferroeléctrica a los 113 K, lo que corrobora la naturaleza magnetoeléctrica a bajas temperaturas. El carácter ferromagnético semiconductor a temperatura ambiente potencia este material para aplicaciones en tecnología espintrónica.

Abstract We report here the synthesis process of the perovskite-like complex material Bi0.5R0.5FeO3 (R=Eu, Sm, Dy) using the ceramic method, as well as its structural, optical, magnetic, and electrical characterizations. Refined X-ray diffraction data revealed that this material crystallizes in an orthorhombic structure (space group Pnma number 62). The band gap value in the optical response shown in the diffuse reflectance spectroscopy curve was typical of semiconductor materials. The magnetization exhibited a very low coercive field hysteretic behavior, which is characteristic of weak ferromagnetism, for all temperatures examined below 300 K and the various magnetic fields applied. The real and complex electric permittivity curves showed the occurrence of dielectric relaxation processes at 113 K in agreement with reports of pyroelectric and thermo-stimulated currents as a function of temperature revealing the appearance of ferroelectric polarization below 113 K with possible magnetoelectric coupling. On the other hand, we made a theoretical study of the electronic structure with and without the inclusion of a Berry distortional phase and ab-initio calculations following the density functional theory formalism and the pseudopotential plane wave method. In this formalism, the exchange and correlation mechanisms are described by the generalized gradient approach (GGA + U) considering spin polarization. The Berry phase analysis suggested the occurrence of ferroelectricity at temperatures below 113 K consistent with the experimental analysis evidencing a biferroic behavior at low temperatures given that the distortional phase introduces hybridizations between the 3d-Fe and 2p-O states favoring the appearance of Dzyaloshinskii-Moriya interactions, which, in turn, facilitate the appearance of ferroelectricity coexisting with a weak ferromagnetism. The thermodynamic properties in the presence or absence of the Berry phase by means of the Debye quasi-harmonic model revealed the appearance of a ferroelectric transition at 113 K, which corroborates their magnetoelectric nature at low temperatures. The ferromagnetic semiconducting character found at room temperature enhances this material for applications in spintronics technology.

Resumen Se presenta una revisión del estado actual de dispositivos orgánicos emisores de luz (OLED, acrónimo de organic light-emitting diode), con énfasis en aquellos que emiten en la franja del rojo. Para entender el funcionamiento de este tipo de dispositivos, se muestran las diferentes arquitecturas utilizadas y los mecanismos de emisión de estos dispositivos optoelectrónicos por radiación fluorescente y fosforescente. Para el caso de emisores color rojo, se presentan ejemplos con dos tipos de materiales mayormente usados: DJCTB para fluorescencia e Ir(piq)2(acac) para fosforescencia. Si bien las arquitecturas y mecanismos aquí revisados se aplican a emisores rojos, también pueden ser extendidos a emisores en todo el rango visible.

Abstract A review of the current state of organic light-emitting devices (OLED) is presented, with an emphasis on those that emit in the red band. To understand the operation of this type of device, the different architectures used and the emission mechanisms of these optoelectronic devices by fluorescent and phosphorescent radiation are shown. For the case of red emitters, examples with the two most commonly used types of materials are presented: DJCTB for fluorescence and Ir(piq)2(acac) for phosphorescence. Although the architectures and mechanisms herein reviewed apply to red emitters, they can also be extended to emitters throughout the visible range.

Resumo É apresentada uma revisão do estado atual dos dispositivos orgânicos emissores de luz, os OLEDs (por sua sigla em inglês), com destaque para aqueles que emitem na faixa vermelha. Para entender o funcionamento desse tipo de dispositivo, são apresentadas as diferentes arquiteturas utilizadas e os mecanismos de emissão desses dispositivos optoeletrônicos por radiação fluorescente e fosforescente. Para o caso particular dos emissores em vermelho, são apresentados exemplos com dois tipos de materiais mais utilizados, como DJCTB para fluorescência e Ir(piq)2(acac) para fosforescência. Embora as arquiteturas e mecanismos revisados aqui se apliquem a emissores vermelhos, eles também podem ser estendidos a emissores em toda a faixa visível.

RESUMEN Fundamento: Aunque la estomatitis aftosa recurrente no tiene una etiología bien definida porque es una enfermedad multicausal, se ha reconocido que las interacciones o el debilitamiento del sistema inmunitario, contribuyen principalmente a la magnitud del proceso patológico. Las propuestas de tratamiento en pacientes inmunocomprometidos son diversas y por lo general se centran en alteraciones inmunológicas específicas. Objetivo: Evaluar el efecto clínico de los tratamientos propuestos para la estomatitis aftosa recurrente en pacientes inmunocomprometidos. Metodología: La búsqueda se realizó en las bases de datos PubMed/Medline y Cochrane. Se incluyeron ensayos clínicos que tuviesen entre sus variables de respuesta principales: Cicatrización de la úlcera aftosa, tiempo de cicatrización, de recurrencia e intensidad del dolor y entre las variables secundarias: Los efectos adversos y los síntomas. La extracción de datos se realizó de manera independiente por los autores. Se aplicó la metodología por la colaboración Cochrane para evaluar el riesgo de sesgo en cada uno de los estudios. Resultados: Se incluyeron 11 ensayos clínicos (8 controlados) publicados entre 1995 y 2020 y que aportan resultados de la eficacia de varias intervenciones terapéuticas: talidomida (4), irsogladine (2), rebamipida (1), láser de diodo (1), cápsulas de Omega-3 (1), vitamina B 12 (1), Complejo B (1). Seis de estos estudios incluyeron pacientes con la forma menor de estomatitis aftosa recurrente. El periodo de seguimiento estuvo entre los 14 y 360 días. Conclusiones: La talidomida puede ser eficaz en el alivio de los síntomas, la cicatrización y remisión de las lesiones, el diodo de láser y vitamina B12 en la disminución de la intensidad del dolor.

ABSTRACT Background: Although recurrent aphthous stomatitis does not have a well-defined etiology due to it is a multicausal disease, it has been recognized that the interactions or the weakening of the immune system, contribute mainly to the magnitude of the process pathological. Treatment proposals in immune compromised patients are diverse and they usually focus on specific immunological alterations. Objective: To evaluate the clinical effect of the proposed treatments for recurrent aphthous stomatitis in immunocompromised patients. Methodology: The search was performed in the PubMed/Medline and Cochrane databases. Clinical trials were included that could have among their main response variables: Aphthous ulcer healing, healing time, recurrence and pain intensity and among the secondary variables: Adverse effects and symptoms. data extraction was done independently by the authors. The methodology was applied by Cochrane collaboration to assess the risk of bias in each of the studies. Results: 11 clinical trials (8 controlled) published between 1995 and 2020 and that provided the results of the efficacy of various therapeutic interventions: thalidomide (4), irsogladine (2), rebamipide (1), diode laser (1), Omega-3 capsules (1), vitamin B 12 (1), Complex B (1). Six of these studies included patients with the minor form of stomatitis recurrent aphthous. The follow-up period was between 14 and 360 days. Conclusions: Thalidomide may be effective in relieving symptoms, healing and remission of the lesions, the laser diode and vitamin B12 in the decrease of the intensity of the pain.

Resumen En este documento se da a conocer la importancia de los semiconductores orgánicos en la fabricación de dispositivos optoelectrónicos, se abordan algunos conceptos fundamentales sobre la estructura molecular que deben ser considerados en el diseño de moléculas semiconductoras. Se resaltan ventajas y desventajas de los semiconductores orgánicos frente a los semiconductores inorgánicos. Para comprender la relación estructura-propiedad de este tipo de moléculas se presentan los conceptos básicos de la electrónica orgánica, la importancia de la ingeniería del band gap (Eg); así como el funcionamiento, características fisicoquímicas, propiedades optoelectrónicas y aplicaciones en celdas solares orgánicas (OPVs y DSSC), Diodos Orgánicos Emisores de Luz (OLEDs) y Transistores Orgánicos de Efecto de Campo (OFETs).

Abstract In this review the value of organic semiconductors in the manufacture of optoelectronic devices is highlighted, as well as some fundamental concepts of molecular structure, which must be considered in the design of the semiconductor molecule. Some advantages and disadvantages of organic semiconductors over inorganic semiconductors are discussed. To understand the structure-properties relationship of this type of molecules, the basic concepts about organic electronics are presented, the importance of band gap engineering (Eg); as well as the operation, physicochemical characteristics, optoelectronic properties, and applications in organic solar cells (OPVs and DSSC), Organic Light Emitting Diodes (OLEDs) and Organic Field Effect Transistors (OFETs).

RESUMEN Este artículo describe el análisis de los procesos utilizados en la fabricación de dispositivos de micro y nanoelectrónica. También presenta un ejercicio de laboratorio ejemplar y novedoso en el que se ilustra y analiza paso a paso un transistor bipolar plano n + pn epitaxial con aislamiento de unión. Solo se utilizan siete pasos de fotolitografía para obtener esta estructura de transistor bipolar: para la formación de capas enterradas, para el aislamiento del transistor de unión y la formación de regiones colectoras, para la formación de regiones base, para la formación de regiones emisoras y colectoras n+, para ventanas de contacto, para la primera metalización de aluminio, y finalmente para pasivación. Las herramientas de software Silvaco TCAD se utilizan para implementar todos estos procesos de fabricación y para simular las características I-V resultantes de todas las estructuras de semiconductores presentadas. Este tipo de trabajo de laboratorio proporciona a los estudiantes conocimientos básicos y una comprensión constante de la fabricación de transistores bipolares. Asimismo, este estudio facilita la comprensión teórica, el análisis y la simulación de varios procesos de fabricación de semiconductores sin la necesidad de experimentos de fabricación tecnológicos costosos y largos. Este artículo también presenta las conclusiones y otros beneficios de dicho trabajo de laboratorio, así como posibles recomendaciones para una su mejora o expansión.

ABSTRACT This paper describes the analysis of processes used in micro- and nano-electronic device manufacturing. It also presents an exemplary and novel laboratory exercise in which an epitaxial planar n + pn bipolar transistor with junction isolation is illustrated and analyzed step-by-step. Only seven photolithography steps are used to obtain this bipolar transistor structure: for buried layer formation, for junction transistor isolation and collectors regions formation, for base region formation, for emitter and collector n+ region formation, for contact windows, for first aluminum metallization, and, finally, for passivation. Silvaco TCAD software tools are used to implement all of these manufacturing processes and to simulate the resulting I-V characteristics of all presented semiconductor structures. This type of laboratory work provides students with basic knowledge and a consistent understanding of bipolar transistor manufacturing, as well as facilitating theoretical understanding, analysis, and simulation of various semiconductor manufacturing processes without the need for costly and lengthy technological manufacturing experiments. This article also presents the conclusions and other benefits of such laboratory work, as well as possible recommendations for further improvement or expansion.

Resumen: Las fuentes de energía electroquímica constituyen una alternativa para reemplazar la tecnología basada en la quema de combustibles fósiles. En un sistema electroquímico la caída de potencial se extiende sobre una región muy estrecha en una interfase, creando campos eléctricos altos, por lo que hay buenas razones tecnológicas para estudiar interfases semiconductor/electrolito. En la actualidad, una de las formas de utilizar los recursos renovables es mediante la tecnología fotovoltaica que convierte directamente la radiación solar en energía eléctrica. Esta tecnología se fabrica a partir de semiconductores, generalmente de silicio, siguiendo un procedimiento de elaboración extremadamente cuidadoso y costoso. Una opción para los dispositivos fotovoltaicos son las celdas fotoelectroquímicas. Estas celdas se elaboran por el contacto de un electrodo semiconductor con una solución, el cual puede ser fácilmente preparado y ofrece la posibilidad de una fabricación de bajo costo. La comprensión de cómo funcionan estos dispositivos requiere el conocimiento de las características de los semiconductores y de cómo estos materiales se comportan en contacto con una disolución electrolítica y bajo iluminación con luz solar. El presente trabajo describe, mediante una revisión actualizada, los principios y aplicaciones de electrodos semiconductores como componentes principales en una celda solar fotoelectroquímica (PEC, del inglés photoelectrochemical cell), para llevar a cabo reacciones químicas de interés tecnológico. Además, se discuten los elementos que se requieren para la mejora en el rendimiento y construcción de la PEC.

Abstract: Electrochemical energy sources are an alternative to replace technology based on the burning of fossil fuels. In an electrochemical system the potential drop spreads over a very narrow region at an interphase, creating high electric fields. So, there are good technological reasons to study semiconductor / electrolyte interphases. Currently, one of the ways to use renewable resources is through photovoltaic technology that directly converts solar radiation into electrical energy. This technology is manufactured from semiconductors, generally silicon, following an extremely careful and expensive manufacturing procedure. An option for photovoltaic devices is photoelectrochemical cells. These cells are made by the contact of a semiconductor electrode with a solution, which can be easily prepared and offers the possibility of low-cost manufacturing. Understanding how these devices work requires knowledge of the characteristics of semiconductors and how these materials behave in contact with an electrolytic solution and under illumination by sunlight. The present work describes, through an updated review, the principles and applications of semiconductor electrodes as the main components in a photoelectrochemical solar cell (PEC), to carry out chemical reactions of technological interest. In addition, the elements that are required for the improvement in the performance and construction of the PEC are discussed.

RESUMEN En el diseño de circuitos electrónicos se destaca la etapa de potencia, la cual se encarga de aumentar las características de una señal, como la corriente y el voltaje, para un apropiado funcionamiento del equipo a desarrollar. Sin embargo, esta etapa está conformada por elementos como los transistores, los cuales pueden presentar un bajo rendimiento, debido al aumento indeseado de temperatura, como consecuencia de alcanzar la potencia deseada. Para mitigar la perdida de potencia y con ello, la elevación de temperatura, se propone el manejo de disipadores de calor, con el propósito de mantener el trabajo de la etapa de potencia en un nivel estable y evitar fracturas térmicas dentro del circuito. En el siguiente trabajo, se exponen los resultados obtenidos del análisis térmico en elementos finitos del disipador de calor con aletas en forma de curva de Cesaro, para semiconductores de potencia, lo cual evidenció el aumento en el flujo de calor, respecto a los comerciales y de este modo, facilitar la evacuación de calor para el acondicionamiento de la tensión y/o corriente.

ABSTRACT In the design of electronic circuits, stands out the power stage, which is responsible of increasing the signal characteristics, as current and voltage, for an appropriate performance of the device to fabricate. However, this stage is composed of elements like transistors, which may have a low performance, due to the undesired temperature increase, as a result of reaching the desired power. To mitigate the loss of power and with it, the temperature rise, the management of heat sink is proposed, in order to keep the work of the power stage at a stable level and avoid thermal fractures within the circuit. This manuscript presents the obtained results of the thermal analysis in finite elements of the heat sink with fins in the form of a Cesaro curve, for power semiconductors, which evidence the increase in the heat flow, with respect to the commercial ones and so, facilitate the heat evacuation for conditioning the voltage and/or current.