ABSTRACTThe Optical Properties of ZnO Nanorods (NR) sensitized with different semiconductors in Core-Shell nanostructures were studied, comparing them with those of bare ZnO NR. Experimental measurements of Transmittance and Diffuse Reflectance show an increased light absorption at the solar spectrum and the appearances of new absorption edges (AE). The measurements are compared with numerical simulations based on Bruggeman Effective Medium Approximation. An increased absorption with the sensitizer content is observed. For similar changes in filling fractions, CdTe presents higher changes in absorption than CdS. Shifts in the AE are observed experimentally (e.g. between 2.34 eV and 2.66 eV for CdS). These shifts cannot be assigned to sensitizer content or confinement effects. A similar behaviour is observed for CdTe in which the AE measured by transmittance is between 1.31 eV and 1.36 eV, while the one obtained from Kubelka-Munk analysis of reflectance is, for the same samples, 1.57 eV and 1.49 eV, respectively. Moreover, the split-off AE is also observed at 2.55 eV and 2.28 eV. The observed large red-shifts could be associated with an enhancement of the subbandgap absorption due to an increase in the light free path at the core-shell nanostructure.

RESUMENSe estudiaron las Propiedades Ópticas (PO) de Nanovarillas (NV) de ZnO sensibilizadas con diferentes semiconductores en nanoestructuras núcleo-corteza, comparándolas con las PO de NV de ZnO. Las medidas experimentales de Transmitancia y Reflectancia Difusa muestran un incremento en la absorción de luz en el espectro solar y la aparición de nuevos bordes de absorción (BA). Las medidas se compararon con simulaciones numéricas basadas en Aproximación de Medio Efectivo (Bruggeman). Las simulaciones corresponden con las medidas reproduciendo la dependencia con el contenido de sensibilizante. Para CdTe se observa un aumento de la absorción con la cantidad del sensibilizante, siendo los cambios mayores para iguales cambios en las fracciones de llenado respecto al CdS. Las mediciones experimentales muestran corrimientos en las posiciones de los BA entre 2.34 eV y 2.66 eV para CdS. Estos corrimientos no pueden explicarse sólo por cambios en el contenido de sensibilizante o por los efectos de confinamiento en las nanoestructuras. Similar es el comportamiento del BA de muestras sensibilizadas con CdTe que se ubica entre 1.31 eV y 1.36 eV, analizadas por Transmitancia, mientras que para las mismas muestras este BA se encuentra en 1.57 eV y 1.49 eV, respectivamente, según el método de Kubelka-Munk de la Reflectancia. Además se observa el BA de la banda split-off en 2.55 eV y 2.28 eV. Estos corrimientos pueden asociarse a un incremento de la absorción sub-bandgap debido al aumento del recorrido libre medio de la luz en la estructura.

Em economias emergentes, programas públicos têm sido criados para estimular as empresas locais a investir em inovações, com o objetivo de alavancar o desenvolvimento econômico. Este artigo procura identificar, preliminarmente, fatores associados às influências institucionais na difusão de inovações em economias emergentes, assim como propor algumas relações básicas entre as variáveis envolvidas, tais como: as intervenções governamentais e os estágios do processo de difusão de inovações; as ações de governo e as forças que impulsionam o processo; e as políticas públicas e as características do quadro institucional geralmente encontrado nestas áreas. Buscando integrar conceitos de diversas áreas das ciências sociais, o trabalho oferece proposições, em diferentes níveis de análise, que descrevem vários aspectos da potencialmente forte influência que os governos nacionais detêm sobre o processo de difusão das inovações nos ambientes institucionais, de características particulares, existentes nas economias emergentes.

In emerging economies, various public programs have been created to stimulate local firms to adopt innovations, with the ultimate goal of increasing rates of economic development. This paper provides a preliminary attempt to identify factors associated with institutional influences in the processes of innovation diffusion in those areas, and proposes some basic associations: between the governmental interventions and the phases of the process of innovation diffusion; between the actions of governments and the forces that stimulate the process; and between the public policies and the characteristics of the institutional environment generally found in emerging economies. The analysis integrates concepts from various fields in the social sciences to offer five propositions, at different levels of analysis, describing various aspects of the potentially strong influence that national governments exert on the process through which innovations are diffused in the institutional environments of the areas known as emerging economies.